PECVD的原理與應(yīng)用：

PECVD：是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD).

實(shí)驗(yàn)機(jī)理：是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。

優(yōu)點(diǎn)：基本溫度低；沉積速率快；成膜質(zhì)量好，針孔較少，不易龜裂

在PECVD工藝中由于等離子體中高速運(yùn)動(dòng)的電子撞擊到中性的反應(yīng)氣體分子，就會(huì)使中性反應(yīng)氣體分子變成碎片或處于激活的狀態(tài)容易發(fā)生反應(yīng)。襯底溫度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜，可以作為集成電路最后的鈍化保護(hù)層，提高集成電路的可靠性

PECVD種類：

一種最簡(jiǎn)單的電感耦合產(chǎn)生等離子體的PECVD裝置，可以在實(shí)驗(yàn)室中使用。因?yàn)樨?fù)載是電感線圈所以這類負(fù)載也稱感性負(fù)載。

一種平行板結(jié)構(gòu)裝置。襯底放在具有溫控裝置的下面平板上，壓強(qiáng)通常保持在133Pa左右，射頻電壓加在上下平行板之間，于是在上下平板間就會(huì)出現(xiàn)電容耦合式的氣體放電，并產(chǎn)生等離子體。

K-mate 系列射頻電源及自動(dòng)匹配器為國(guó)內(nèi)多家知名企業(yè)與高校如中科院，合肥科晶等單位保持長(zhǎng)期射頻電源及自動(dòng)匹配器供應(yīng)。在電感耦合管式爐，與平行板等PECVD設(shè)備上針對(duì)線圈負(fù)載與容性負(fù)載。配上對(duì)應(yīng)的不同阻抗網(wǎng)絡(luò)的射頻自動(dòng)匹配器。能夠迅速調(diào)整匹配起輝放電。且能長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。